چت IM آنلاین در حال حاضر

SPP21N10

SPP21N10
SPP21N10

تصویر بزرگ :  SPP21N10

جزئیات محصول: پرداخت:
توضیحات: ماسفت N-CH 100V 21A TO220-3

SPP21N10

شرح
دسته بندی: محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FETs، MOSFETs Single FET، MOSFET ویژگی FET: -
Vgs(th) (حداکثر) @ ID: 4 ولت @ 44 µA دمای کار: -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
بسته بندی / کیس: TO-220-3 شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs: 80 میلی اهم @ 15 آمپر، 10 ولت نوع FET: کانال N
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): 10 ولت بسته بندی: لوله
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100 ولت Vgs (حداکثر): ± 20 ولت
وضعیت محصول: از کار افتاده ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: 865 pF @ 25 V
نوع نصب: از طریق سوراخ سری: SIPMOS®
بسته دستگاه تامین کننده: PG-TO220-3-1 مفر: تکنولوژی های اینفینیون
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد: 21A (Tc) اتلاف نیرو (حداکثر): 90 وات (Tc)
تکنولوژی: ماسفت (اکسید فلز) شماره محصول پایه: SPP21N

کانال N 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) از طریق سوراخ PG-TO220-3-1

اطلاعات تماس
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

تماس با شخص: Miss. Coral

تلفن: +86 15211040646

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)

سایر محصولات