|
دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FETs، MOSFETs Single FET، MOSFET | ویژگی FET: | - |
---|---|---|---|
Vgs(th) (حداکثر) @ ID: | 2 ولت @ 20 µA | دمای کار: | -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ) |
بسته بندی / کیس: | TO-220-3 | شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs: | 13 nC @ 5 V |
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs: | 9.2 میلی اهم @ 30 آمپر، 10 ولت | نوع FET: | کانال N |
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): | 4.5 ولت، 10 ولت | بسته بندی: | لوله |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): | 25 V | Vgs (حداکثر): | ± 20 ولت |
وضعیت محصول: | از کار افتاده | ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: | 1642 pF @ 15 V |
نوع نصب: | از طریق سوراخ | سری: | OptiMOS™ |
بسته دستگاه تامین کننده: | PG-TO220-3 | مفر: | تکنولوژی های اینفینیون |
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد: | 50A (Tc) | اتلاف نیرو (حداکثر): | 63 وات (Tc) |
تکنولوژی: | ماسفت (اکسید فلز) | شماره محصول پایه: | IPP09N |
کانال N 25V 50A (Tc) 63W (Tc) از طریق سوراخ PG-TO220-3
تماس با شخص: Liu Guo Xiong
تلفن: +8618200982122
فکس: 86-755-8255222