چت IM آنلاین در حال حاضر

IPP09N03LA

IPP09N03LA
IPP09N03LA

تصویر بزرگ :  IPP09N03LA

جزئیات محصول: پرداخت:
توضیحات: ماسفت N-CH 25V 50A TO220-3

IPP09N03LA

شرح
دسته بندی: محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FETs، MOSFETs Single FET، MOSFET ویژگی FET: -
Vgs(th) (حداکثر) @ ID: 2 ولت @ 20 µA دمای کار: -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
بسته بندی / کیس: TO-220-3 شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs: 9.2 میلی اهم @ 30 آمپر، 10 ولت نوع FET: کانال N
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): 4.5 ولت، 10 ولت بسته بندی: لوله
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25 V Vgs (حداکثر): ± 20 ولت
وضعیت محصول: از کار افتاده ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
نوع نصب: از طریق سوراخ سری: OptiMOS™
بسته دستگاه تامین کننده: PG-TO220-3 مفر: تکنولوژی های اینفینیون
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد: 50A (Tc) اتلاف نیرو (حداکثر): 63 وات (Tc)
تکنولوژی: ماسفت (اکسید فلز) شماره محصول پایه: IPP09N

کانال N 25V 50A (Tc) 63W (Tc) از طریق سوراخ PG-TO220-3

اطلاعات تماس
Sensor (HK) Limited

تماس با شخص: Liu Guo Xiong

تلفن: +8618200982122

فکس: 86-755-8255222

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)

سایر محصولات