|
دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FETs، MOSFETs Single FET، MOSFET | ویژگی FET: | - |
---|---|---|---|
Vgs(th) (حداکثر) @ ID: | 3.9 ولت @ 200 µA | دمای کار: | -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
بسته بندی / کیس: | پک کامل TO-220-3 | شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs: | 22 nC @ 10 V |
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs: | 950 میلی اهم @ 2.8 آمپر، 10 ولت | نوع FET: | کانال N |
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): | 10 ولت | بسته بندی: | لوله |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): | 560 V | Vgs (حداکثر): | ± 20 ولت |
وضعیت محصول: | از کار افتاده | ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: | 470 pF @ 25 V |
نوع نصب: | از طریق سوراخ | سری: | CoolMOS™ |
بسته دستگاه تامین کننده: | PG-TO220-3-31 | مفر: | تکنولوژی های اینفینیون |
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد: | 4.5A (Tc) | اتلاف نیرو (حداکثر): | 31 وات (Tc) |
تکنولوژی: | ماسفت (اکسید فلز) | شماره محصول پایه: | SPA04N |
کانال N 560 V 4.5A (Tc) 31W (Tc) از طریق سوراخ PG-TO220-3-31
تماس با شخص: Liu Guo Xiong
تلفن: +8618200982122
فکس: 86-755-8255222