BSO301SPNTMA1

Name: BSO301SPNTMA1
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

همه محصولات

آی سی MCU
(217)

اتصالات FFC FPC
(3667)

بافرهای پیشرو ساعت
(2459)

هدف ویژه صدا
(1050)

آی سی های جمع آوری داده ها
(1000)

سیستم ICS جاسازی شده
(1000)

آی سی های رابط
(1000)

آی سی خطی
(950)

IC منطق
(894)

حافظه IC
(984)

مدیریت قدرت
(939)

RF و بی سیم
(995)

سنسورهای دمایی IC
(1000)

ضرب کننده های فرکانس
(934)

آی سی محافظ مدار
(992)

نیمه هادی گسسته
(911)

کانسیتورهای پلیمری
(700)

سنسورهای ماوراء صوت
(1000)

آی سی مدارهای مجتمع
(1000)

حفاظت مدار
(692)

اپتو الکترونیک
(1000)

کانکتورهای کواکسیال
(400)

محصولات نیمه هادی گسسته
(853)

فیلترهای سرامیکی موراتا
(757)

محرک ها، کویل ها، خفه کننده ها
(950)

کانکتورهای MIL Spec
(890)

مدارهای مجتمع ICS
(27)

چت IM آنلاین در حال حاضر

تصویر بزرگ : BSO301SPNTMA1

جزئیات محصول: پرداخت:

توضیحات:	ماسفت P-CH 30V 12.6A 8DSO

مخاطب

شرح

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FETs، MOSFETs Single FET، MOSFET	شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:	136 nC @ 10 V
وضعیت محصول:	از کار افتاده	نوع نصب:	ارتفاع سطح
بسته بندی:	نوار و رول (TR) نوار برش (CT) Digi-Reel®	ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:	5890 pF @ 25 V
سری:	OptiMOS™	Vgs (حداکثر):	± 20 ولت
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:	2 ولت @ 250 µA	بسته دستگاه تامین کننده:	PG-DSO-8
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:	8 میلی اهم @ 14.9 آمپر، 10 ولت	مفر:	تکنولوژی های اینفینیون
دمای کار:	-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)	نوع FET:	کانال پی
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):	4.5 ولت، 10 ولت	اتلاف نیرو (حداکثر):	2.5 وات (Ta)
بسته بندی / کیس:	8-SOIC (0.154 "، عرض 3.90mm)	تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):	30 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:	12.6A (Ta)	تکنولوژی:	ماسفت (اکسید فلز)
ویژگی FET:	-