STD3N95K5AG

STD3N95K5AG متعلق به دسته تراشه های MOSFET (ترانزیستور میدان اکسید فلزی نیمه هادی) ، به طور خاص یک MOSFET قدرت N-channel است.در اینجا یک توضیحات دقیق از تراشه STD3N95K5AG ترجمه به انگلیسی:

اطلاعات اساسی

• تولید کننده: STMیکروالکترونیک
• بسته بندی: TO-252 (برخی از اطلاعات ممکن است TO-252-3 را مشخص کنند، که می تواند یک نوع خاص یا نسخه ای از بسته باشد)
• نوع FET: کانال N

مشخصات کلیدی

• ولتاژ شکستن منبع تخلیه (Vds): 950 ولت
• جریان تخلیه مداوم (Id): 2A
• مقاومت منبع تخلیه در حالت فعال (Rds On): 4.3 اوم (معمولی)
• ولتاژ منبع دروازه (Vgs): حداکثر 30 ولت
• ولتاژ آستانه ی منبع دروازه (Vgs th): 3V
• هزینه دروازه (Qg)۳.۴ بعد از قرن
• حداقل دمای کار: -55°C
• حداکثر دمای کار: +150°C
• پخش قدرت (Pd): 45W
• حالت کانال: ارتقا
• صلاحیت: AEC-Q101 (اعلام کننده انطباق با استاندارد کیفیت اجزای الکترونیکی خودرو)

ویژگی های کلیدی

• ظرفیت ولتاژ بالا: قادر به تحمل تا 950V ولتاژ شکستن منبع تخلیه، مناسب برای کاربردهای ولتاژ بالا.
• مقاومت کم: در حالت فعال بودن مقاومت پایین در جریان جریان را ارائه می دهد و به کاهش تلفات انرژی کمک می کند.
• ویژگی های تغییر سریع: ویژگی های زمان بلند شدن کوتاه (13.5 ns) ، زمان سقوط (32.5 ns) ، زمان تاخیر روشن شدن (8.5 ns) و زمان تاخیر خاموش شدن (20.5 ns) ، مناسب برای برنامه هایی که نیاز به تغییر سریع دارند.
• کاربردهای خودرو: با صلاحیت AEC-Q101 خود، STD3N95K5AG به ویژه برای الکترونیک خودرو و سایر کاربردهایی که نیاز به پشتیبانی با کیفیت بالا و طولانی مدت دارند مناسب است.

حوزه های کاربرد

تراشه STD3N95K5AG، با قابلیت ولتاژ بالا، مقاومت پایین و ویژگی های سوئیچ سریع، به طور گسترده ای در الکترونیک خودرو، الکترونیک قدرت، کنترل صنعتی،و سایر زمینه هابه طور خاص، در برنامه هایی که نیاز به ولتاژ بالا، جریان بالا و سوئیچ فرکانس بالا دارند، مانند سیستم های محرک خودروهای الکتریکی، کنورترهای قدرت، کنترل موتور و موارد دیگر، برجسته است.