NJVMJD350T4G

NJVMJD350T4G متعلق به یک ترازستور دوقطبی اتصال (BJT) ترازستور دوقطبی اتصال نوع PNP است. تولید شده توسط ON Semiconductor،این تراشه دارای مجموعه ای از مشخصات خاص و ویژگی های عملکردی است.

در اینجا مشخصات اصلی تراشه NJVMJD350T4G به زبان انگلیسی ترجمه شده است:

• حداکثر ولتاژ کلکتور-امتر (VCEO): 300 ولت
• حداکثر ولتاژ اصلی کلکتور (VCBO): 300 ولت
• حداکثر ولتاژ پایه فرستنده (VEBO): 3V
• حداکثر جریان کنتاکتور DC (Ic): 500mA (یعنی 0.5A)
• ولتاژ اشباع کلکتور-امتر: می تواند در شرایط خاص به 1 ولت برسد
• پخش قدرت (Pd): حداکثر 15W
• محصول بهره برداری از پهنای باند (fT): 10MHz
• حداقل دمای کار: -65°C
• حداکثر دمای کار: +150°C

علاوه بر این، تراشه NJVMJD350T4G دارای ویژگی های زیر است:

• نوع بسته بندی: به طور معمول در بسته DPAK-3 (TO-252-3) ارائه می شود که برای برنامه های دستگاه نصب سطح (SMD / SMT) مناسب است.
• انطباق RoHS: مطابق با الزامات RoHS است، به این معنی که حاوی سرب یا سایر مواد خطرناک نیست.
• درخواست ها: برای استفاده در تقویت کننده های خروجی صوتی خطی، حالت های سوئیچ و سایر کاربردهایی که نیاز به تقویت ترانزیستور و توابع سوئیچ دارند، طراحی شده است.

خلاصه،NJVMJD350T4G یک تراشه ترانزیستور دوقطبی نوع PNP است که به طور گسترده ای در دستگاه های الکترونیکی مختلف مورد استفاده قرار می گیرد که نیاز به تقویت ترانزیستور و قابلیت سوئیچ دارند..