MMRF1314HR5

MMRF1314HR5 یک ترانزیستور قدرت RF تولید شده توسط NXP است که به طور خاص برای برنامه های RF با قدرت بالا طراحی شده است. در اینجا مشخصات دقیق این محصول وجود دارد:

پارامترهای اساسی

• نوع محصول: ترانزیستورهای RF MOSFET (ترانزیستورهای فرکانس رادیویی فلز اکسید نیمه هادی میدان)
• تولید کننده: NXP
• قطب گرایی: کانال N
• بسته بندی: SOT1787
• تکنولوژی: LDMOS (یک نیمه هادی اکسید فلزی با پخش جانبی)

پارامترهای الکتریکی

• فرکانس کار: 1200 تا 1400 مگاهرتز
• قدرت خروجی: 1000 وات (قیمت بالا)
• سود معمولی (dB): 15.5 dB @ 1200 MHz (توسعه خاص ممکن است با فرکانس متفاوت باشد)
• ولتاژ شکستن منبع تخلیه (Vds): به طور مستقیم مشخص نشده، اما ترانزیستورهای LDMOS به طور کلی ولتاژ شکستن بالایی دارند
• جریان تخلیه مداوم (Id): به طور مستقیم مشخص نشده، اما بر اساس الزامات کاربرد و طراحی تعیین شده است.
• ولتاژ منبع دروازه (Vgs): -6 ولت تا +10 ولت ( محدوده کنترل ولتاژ دروازه)
• پخش قدرت (Pd): به طور مستقیم مشخص نشده است، اما نیاز به طراحی خوبی برای انتشار گرما برای کاربردهای با قدرت بالا دارد.

دمای کار

• حداکثر دمای کار: +150°C
• حداقل دمای کار-40 درجه سانتیگراد

ویژگی های کاربرد

• عملیات پهن باند: تطبیق ورودی و خروجی داخلی برای عملکرد و استفاده راحت از باند پهن
• انعطاف پذیری پیکربندی: می تواند در پیکربندی های تک پایانه، فشار-کشیدگی یا مربع استفاده شود
• استحکام بالا: مناسب برای کاربردهای پالس، به ویژه در کاربردهای رادار L-band نظامی و تجاری با قدرت بالا

اطلاعات اضافی

• بسته بندی: بسته بندی SMD/SMT (دسته نصب سطح/ تکنولوژی نصب سطح) ، مناسب برای تکنولوژی نصب سطح
• مقدار بسته بندی: به طور معمول در مقادیر خاصی بسته بندی می شود (به عنوان مثال 50 عدد) در هر واحد